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描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙類型GaAs HIFET的幾部份。HiFET是高壓力、高電率、高線性網絡和寬帶網用途的部份匹配好申請專用設備配資。該電子元件的總電子元件外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電率微波加熱用途而構思的，辦公幀率達3GHz。BI類型選擇一個唯一性構思的陶瓷制品封裝類型類型，兼有內彎或平行線的引線和凸緣裝有原則。封裝類型類型底下的法蘭盤直接作為一個電流接地極裝置、頻射接地極裝置和熱路。這款HiFET是符合要求RoHS規格的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz
適用于更好蒸發器的淘瓷打包封裝

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信