S頻譜超高壓砷化鎵場效果多晶體管AM030MH4-BI-R
披露時:2018-11-07 11:32:45 閱覽:1705
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系列作品的GaAs HIFET的是一局部。HIFET是局部搭配的專利申請裝備手機配置的高輸出電運行電壓,高電運行電壓,高曲線度和寬帶網APP。該電子元件的總電子元件外部為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高電運行電壓微波微波射頻APP而定制的,運行的頻率多達3GHz。BI系列作品的主要采用一款異常定制的陶瓷圖片打包封裝形式,兼具可以彎曲的或垂直的引線和凸緣裝設的方式。打包封裝形式下端的卡箍一同用于整流接地線線、微波射頻接地線線和熱路。這類HiFET是非常符合RoHS規范的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
于可行熱量散發的瓷器封裝
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信