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描述
AMCOM的AM030WX-BI-R有的是個離散的GaAs PHEMT，其總柵極厚度為3.0mm。它運用淘瓷BI芯片二極管封口形式，工作上頻段led光通量10GHz。BI芯片二極管封口形式運用非常規裝修設計的淘瓷芯片二極管封口形式，會有耐折（BI-G）或直線行駛（BI）引線，運用放進去式組裝方試。芯片二極管封口形式上端的卡箍另外看做直流電一定接地線、微波射頻一定接地線和熱路。這不分是非常符合RoHS標準規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM030WX-BI-R	1周	80

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝14dB，p1dB＝33 dBm，EFF＝46% @ 4GHz
表面貼裝
更好散熱的最下面

應用
無線本地環路
驅動放大器
無線電
C波段VSAT
雷達