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　　Skyworks 的 ATN3580-03 產品調整衰減器處理電源芯片主要采用高電容率硅處理電源芯片上的溥膜電容器技木，保證準確度的衰減、高平緩度和高至 40 GHz 的專業技能回波耗費性。　　層面屬性：　　塑料膜技術水平：在高電功率熱敏電阻率硅電子器件上集成型塑料膜電功率熱敏電阻器，提高更佳的電功率正確處理力量。　　均衡 TEE 設計：用到均衡的 TEE 電阻值設計為了保證光纖寬帶寬耐腐蝕性。　　DC 衰減：各個衰減器單片機芯片都同一個了整流(DC)衰減。　　頻點位置：衰減器來設計需求從 0.1 GHz 到 40 GHz 的頻點位置內的能力必須。　　技藝規模：　　標稱衰減：出示 1–10、12、15、20、30 和 40 dB 的衰減頁面設置。　　衰減容差：±0.25 dB。　　衰減非常平整度：　　0.1-12 GHz：0.2 dB　　0.1-26.5 GHz：0.4 dB　　0.1-40 GHz：0.6 dB　　回波耗率：　　0.1-12 GHz：23 dB　　0.1-26.5 GHz：18 dB　　0.1-40 GHz：15 dB　　回波消耗：超過 16 dB，以至 40 GHz。　　效率補救：高達獨角獸 1 W 的累計波(CW)效率補救特性。　　技術應用優勢與劣勢：　　中平率性：設計的無法多達 40 GHz 的平率規定要求，可符合中頻利用。　　高回波損耗費：確保安全生產的信號的高貨真無線傳輸。　　小于衰減：出具小于的衰減值和容差，滿足需要小于有效控制數字信號抗拉強度的具體需求。　　性價比高性：膜硅IC芯片結構設計堅實性價比高，適宜經常不穩定性運營。

型號：

		Attenuator Fatness
NominalAttenuation (dB)	DCTolerance (dB)	0.1 to 12 GHz (dB)	0.1 to 26.5 GHz (dB)	0.1 to40 GHz (dB)	Outline Drawing	Part Number
1	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-01
2	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-02
3	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-03
4	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-04
5	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-05
6	±0.25	±02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-06
7	±0.25	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-07
8	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-08
9	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-09
10	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-10
12	±0.50	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-12
15	±0.50	+02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-15
20	±1.10	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-20
30	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-30
40	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-40