S中波段高增益值高工作功率砷化鎵場定律結晶體管AM120MH2-BI-R
發部準確時間:2018-11-05 15:21:31 瀏覽網頁:1633
描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙型號的環節。HIFET是環節匹配好的著作權主設備運行環境,代替高輸出輸出、高輸出和移動寬帶使用。該集成電路芯片的總集成電路芯片外邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高輸出徽波使用而制作的,運行聲音頻率達到6GHz。BI型號選用一些非常規制作的瓷器二極管芯片封裝,兼有彎曲變形或切線的引線裝有方式方法。二極管芯片封裝左下角的法蘭片直接當作直流電一定接地保護、頻射一定接地保護和熱路。這樣HiFET是不符合RoHS基準的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM120MH2-BI-R
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1周
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80
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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 14dB@ 2GHz
高功率:P1dB=39 dBm @ 2GHz
高線性度:IP3=49 dBm @ 2GHz
用以有效果散熱器的工業陶瓷裝封
應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信