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描述
AMCOM的AM010WX-BI-R也是個離散的GaAs PHEMT，其總柵極間距為1.0mm。它是在淘瓷BI芯片芯片封口，運動敢達12千兆赫。BI題材安全使用非常規方案的淘瓷芯片芯片封口，兼具回彎（Bi-G）或直（BI）引線的組裝方式。芯片芯片封口最下面的蝶閥法蘭時候作為一個交流電一定接地極、微波射頻一定接地極和熱路。整大部分是非常符合RoHS要求的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010WX-BI-R	1周	100

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特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝16分貝，P1dB＝22.5dBm，EFF＝53% @ 4GHz
表面貼裝
有效的散熱的底下

應用
無線本地環路
驅動放大器
無線電

C波段VSAT
雷達