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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低放入和回退耗損率巴倫低壓變壓器，由不穩定穩定電機定子和中心局抽頭穩定穩定電機定子主成的穩定穩定環，雙相傳遞信息額定功率，兩種方問自動匹配。North Hills巴倫斯精密鑄造水利工程低放入和回波耗損率。優厚的穩定穩定是完成內部相交的機構來實現了的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超低頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫展示了自動測量控制電路特質至1.2GHz的比較簡單和直接性的工藝。超低頻巴倫輸入任意放向的電位差，另外為低讀取和回波耗用參與了高精密規劃。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電壓器，應該使用用途1千赫茲- 125兆赫，由不均衡性繞阻和平臺抽頭均衡性繞阻成分的均衡性環，正向信息傳遞功效，這兩個目標方向匹配好。北山巴倫斯細密建設項目低添加圖片和回波消耗。得天獨厚的均衡性是順利通過重要軸對稱的成分來實現目標的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L股票波段髙壓電砷化鎵場相互作用晶狀體管AM010MH4-BI-R，HiFET是髙壓電、高效率、高波形和移動寬帶適用的方面適配專屬專用設備標準配置。該元元器件封裝封裝的總元元器件封裝封裝外層為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高效率徽波適用而規劃的，操作頻次高達hg3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S中波段高增益控制高輸出公率砷化鎵場滯后效應結晶管AM120MH2-BI-R，HIFET是局部配對的發明專利機械設備手機配置，于高電流值、高輸出公率和網絡帶寬操作。該元集成電路芯片封裝形式的總元集成電路芯片封裝形式周圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高輸出公率微波通信操作而方案的，本職工作頻繁 超過6GHz。BI型號運用有一種特異方案的衛浴陶瓷封裝形式，有著屈曲或垂線的引線重新安裝模式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L波長砷化鎵場現象氯化鈉晶體管高線電壓高電效率和寬帶網絡利用AM010MH2-BI-R，該集成電路芯片的總集成電路芯片外面為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高電效率紅外光利用而設置的，做工作次數達到了6GHz。BI編選取一種生活特色設置的陶瓷圖片封裝類型，都具有彎折或條直線的引線連接的方法。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X頻譜低嘈音放縮器處理芯片是嘈音彈性系數很低的放縮器。似的充當當下wlan電收機的中頻或中頻前面板放縮器，各類高靈敏性度光電子探測器儀器的放縮電源線路。在放縮暗淡電磁波的公共場合，放縮器自身業務的嘈音對電磁波的騷擾概率管得嚴重，之所以期待縮小一種嘈音，以的提升輸入輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 Ck線PCS移動基站航空航天智能電子微波加熱通信AM005MH2-BI-R。HIFET是那部分相匹配的專利證書機系統配置，代替高端電壓、高電電率和移動寬帶適用。該器材的總器材外圍網為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高電電率微波加熱適用而設計的概念的，操作頻帶寬度達6 GHz。它也是更強電電率器材的期望驅動包器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 Sk線微波加熱rf射頻砷化鎵場負效應額定業務功率管AM300MX-CU-R，這十部份的總攔污柵參數為30mm。AM300 MX-CU-R是為高額定業務功率微波加熱用途而設定的，業務幾率高達到6GHz。Cu系類主要采用那種比較特殊設定的陶瓷制品封裝類型，兼具站立的引線和凸緣的裝玩法。封裝類型尾部的法蘭片同一最為直流變壓器一定跨接、微波加熱rf射頻一定跨接和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S波長高電機輸出功率紅外光通信頻射晶狀體管AM200MX-CU-R，這一個分的總閘門啟閉機屏幕寬度匹配為20mm。AM200 MX-CU-R是為高電機輸出功率紅外光通信操作而開發的，工作的頻率敢達6GHz。Cu題材有的是種獨特開發的陶瓷制品封裝，體現了條直線式引線和凸緣組裝式。封裝底邊的法蘭盤也作為一個直流變壓器的接地裝置、頻射的接地裝置和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C中波段VSAT砷化鎵場效用工作中工率管AM150MX-CU-R ，這這位置的總柵極凈寬為15mm。AM150 MX-CU-R是為高工作中工率微波射頻使用而設汁的，工作中次數達到了6GHz。Cu品類是種特異設汁的工業陶瓷二極管封裝，更具直線行駛式引線和凸緣安轉式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L股票光波S股票光波大輸出砷化鎵輸出場負效應單晶體管AM100MX-CU-R，這三組成部分的總柵極高寬比為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出微波加熱采用而裝修設計的的，運轉工作頻率可以達到6GHz。Cu全系列一種唯一性裝修設計的的陶瓷圖片打包封裝形式，具備直線條式引線和凸緣的安裝式。打包封裝形式底的法蘭盤與此同時當作電流保護與地面、頻射保護與地面和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高工率徽波射頻軟件砷化鎵MESFET元器件AM072MX-CU-R，一組成部分一 個周到的論述7.2mm門的厚度。在AM072MX-CU-R是進行設定的適用高工率徽波射頻軟件，實際操作到6GHz。論述銅系列產品的照片頭像，是在另一款進行設定的衛浴陶瓷進行包裝與直導和Cu / W的蓋在另一款下拉的裝置方法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 Lk線Sk線高額定功率微波微波射頻應該用結構設計微波射頻尖晶石管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C波長S波長頻射納米線管AM036MX-QG-R，這有部份的總柵極：寬度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高額定功率紅外光操作而設汁的，崗位幾率將高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L頻譜S頻譜rf微波射頻晶胞管變小器AM024MX-QG-R ，這那的部分的總柵極間距為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高瓦數微波加熱應用領域而定制的，工作上次數可以達到6GHz。QG系都是個可塑料封口類型，所有引腳打彎的外表面布置風格的PC板。封口類型的邊側并且充當直流電源與地面、rf微波射頻與地面和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S股票光波P股票光波結晶體管AM012MX-QG-R，這一本分的總柵極屏幕寬度匹配為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高熱效率徽波廣泛應用而結構設計的，運行頻繁 可以達到6GHz。QG國產不是個PVC二極管封口，全部的引腳回彎的外層施工藝術風格的PC板。二極管封口的低部時算作直流電壓跨接、微波射頻跨接和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 Lk線Sk線微波頻射頻射氯化鈉晶體管AM006MX-QG-R，這十部門的總柵極尺寸為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高輸出功率微波頻射應該用而的設計的，工作任務頻率高至6GHz。QG類別一個橡膠打包二極管封裝，全部的引腳回彎的界面連接風格圖片的PC板。打包二極管封裝的側面此外充當直流電等電位連接極、微波頻射頻射等電位連接極和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段微波射頻硫化鋅管拖動器AM005WN-00-R，其總柵極屏幕寬度匹配為0.5mm。這個是的裸模，會行駛到18千兆赫。它會帶來了先進典型的趨于穩定功效為33.4 dBm。它可以于低背景噪聲、高各式各樣的范圍的讀取機和高功效火箭發射機的動力器。這不分是非常符合RoHS細則的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 Xk線Kuk線微波射頻多晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S光波C光波X光波Ku光波K光波分布區式低低頻噪音拖動器基帶芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K光波）GaN低低頻噪音拖動器MMIC，。該寬帶網耗油率器件比較滿足需求低低頻噪音彈性數值效果和高輸進耗油率極限生存效果的利用。CMD290具備12.5 dB的增益值，此類的低頻噪音彈性數值為2.3 dB，13 GHz時的工作輸出1 dB壓縮成點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低的噪音調小器CMD163國防K股票波段低的噪音調小器電源芯片，有的是款高最新標準GaAs MMIC低的噪音調小器，尤在這其中用于國防，辦公空間和流量系統，在這其中小厚度和高曲線度是關鍵性的設計特殊要求。該器材面向21 GHz來了網站優化，可帶來超越24 dB的增益控制，特定的輸入輸出1 dB解壓縮點為+19 dBm，的噪音比率為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C波長VSAT微波射頻晶狀體管AM025WN-00-R，其總柵極：寬度為2.5mm（兩大1.25mm的FET串連）。這里是一兩個裸模，不錯行駛到15千兆赫。它不錯作為明顯的過剩工率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 Xk線Kuk線rf射頻結晶管AM100WN-00-R，其總柵極總寬為10mm（四個1.25mm的FET串并聯）。這就是同一個裸模，也需要工作到15千兆赫。它也需要帶來了典型性的飽合工作效率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X波長Ku波長頻射多晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X頻譜rf頻射結晶管C頻譜rf頻射結晶管AM005WN-BI-R，其總柵極總寬為0.5mm。它在工業陶瓷廠家封裝中操作多達12 GHz。BI系統用到非常規設置的工業陶瓷廠家封裝，還具有耐折（Bi-G）或直（BI）引線的的安裝措施。封裝下端的蝶閥法蘭同一做直流變壓器地線、rf頻射地線和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X中波段頻射晶狀體管AM012WN-BI-R，都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極厚度為1.25mm。它是在衛浴陶瓷廠家BI芯片芯片裝封，行駛高達模型10千兆赫。BI類別施用特別的制作的衛浴陶瓷廠家芯片芯片裝封，兼有彎度（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用方式方法。芯片芯片裝封底層的活套法蘭同一時間是 直流電源等電位連接、頻射等電位連接和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C頻譜頻射氯化鈉結晶體管S頻譜頻射氯化鈉結晶體管AM025WN-BI-R，一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長寬比為2.5mm。它在工業瓷磚芯片二極管封口中電腦運行達到8 GHz。BI款型動用特出構思的工業瓷磚芯片二極管封口，具備彎折（Bi-G）或直（BI）引線的按裝的方式。芯片二極管封口上端的法蘭片同時看作整流與地面極、頻射與地面極和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P頻譜L頻譜高公率微波頻射通信運用軟件AM100WN-CU-R，這一區域的總柵極間距為10直徑。AM100WN-CU-R是專業為高公率微波頻射通信運用軟件方案的，工做頻點可以達到6GHz。CU產品系列是專業方案的工業陶瓷封裝形式類型，具備有直引線和插裝式卡箍。封裝形式類型下面的卡箍而且看做直流變壓器與地面、頻射與地面和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S中光波C中光波AM050WN-CU-R工業陶瓷圖片二極管打包打包封裝GaN工作上效率HEMT DC-6GHz，這種部位的總柵極厚度是5mm。AM050WN-CU-R是為高工作上效率紅外光廣泛應用而設汁的，工作上平率高達6GHz。CU系類是好一點設汁的工業陶瓷圖片二極管打包打包封裝，含有直引線和落地頁式活套卡箍。二極管打包打包封裝最下面的活套卡箍同一最為交流電接地裝置裝置、微波射頻接地裝置裝置和熱路。