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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A一款主體工程型GaAs MMIC I/Q下調頻器，采取無引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該電子器件給出13 dB小表現轉變收獲，體現了25 dBc邊帶遏制。 HMC6147ALC5A采取低噪音變大器來安裝驅動器I/Q混頻器，LO由X2倍頻器安裝驅動器。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A有的是款寬敞型GaAs MMIC I/Q下直流變頻電機，選取符合標RoHS標的12引腳、工業陶瓷無鉛單片機芯片平臺(LCC)封裝形式。該元器件封裝供給14 dB的小信號燈轉變成增加收益和25 dBc的鏡像軟件調控的性能。HMC6789BLC5A選取低躁聲增加器win7驅動軟件I/Q混頻器，在這當中LO由x2乘法器win7驅動軟件

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E不是款緊奏型型GaAs MMIC映射系統能夠抑制性低燥音交流三菱變頻器，采用了合乎RoHS標準規范的無鉛SMT封裝類型。 該元器展示13 dB的小預警轉成收獲，17 dBc的映射系統能夠抑制性和-2 dBm投入IP3。 HMC1065LP4E用RF LNA和由有源X2倍頻器驅動包的I/Q混頻器任務。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E是款緊身型GaAs MMIC I/Q下直流abb變頻器，使用無鉛5 x 5 mm低地應力鋅合金壓鑄塑料材質表貼封口。 該元器件封裝帶來了12 dB的小訊號換算增益值、1.8 dB的噪音污染公式和25 dBc的系統鏡像軟件克制耐腐蝕性。 HMC1113LP5E使用LNA，后接由LO緩存器放小器帶動的系統鏡像軟件克制混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B就是一款緊奏型suv型GaAs MMIC I/Q下伺服電機器，使用符合國家RoHS準則的無引腳SMT打包封裝。 該元器在某個頻段范圍之內內供應13 dB的小預警換為收獲、2 dB的嘈音公式和24 dB的鏡象文件克制性能參數。 HMC951B使用LNA，后接由LO減慢器放小器win7驅動的鏡象文件克制混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108一款主體工程型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單處理器微波微波射頻整合三極管(MMIC)同相正交(I/Q)低燥音換為器，用到合乎RoHS標準化的工業陶瓷無鉛處理器媒體打包封裝。HMC8108將范疇為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)導入訊號換為為輸出店鋪推廣60 MHz先進典型單端中頻(IF)訊號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE是款狹窄型I/Q MMIC混頻器，按照“無鉛”SMT裝封，能用的 作鏡像軟件抑制性混頻器或單向帶著直流變頻空調器。 該混頻器按照多個標淮Hittite雙和平混頻器單元測試和一些70度混雜元件，均按照GaAs Schottky肖特基二極管藝創造。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E是款緊身型I/Q MMIC混頻器，用于“無鉛”SMT打包封裝，可以選擇作鏡像軟件調控混頻器或單側帶進去直流變頻。 該混頻器用于兩人規格Hittite雙動平衡混頻器單無和兩個直角混合著電子器件，均用于GaAs Schottky二級管加工工藝生產。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 建立起在Qorvo的氮化鎵工藝基礎理論之內，該工藝可滿足更高一些的高效率，安全性，耗油率和可荒島生存性，并可節省生產成本尺碼，稱重和生產成本。不同FEM將重要性的T / R摸塊作用集成式到兩個狹窄的二極管封裝中：T / R控制開關，耗油率放小器和低躁音放小器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A是款砷化鎵(GaAs)單集合塊徽波集合線路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，按照適用RoHS規范的24引腳、淘瓷無鉛集合塊質粒載體(LCC)二極管封裝。該集成電路芯片可以用作系統鏡像限制混頻器或單側攜帶直流軟啟動。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191就是款無源移動寬帶I/Q單一體化塊徽波一體化集成運放(MMIC)混頻器，該用作閱讀器iso鏡像調節混頻器或放射器單側戴上直流變頻空調器。HMC8191極具6 GHz至26.5 GHz的頻射(RF)和本振(LO)區間各類DC至5 GHz的中頻(IF)速率，是符合需用寬頻率區間

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B都是款緊密型GaAs MMIC I/Q混頻器，進行符合要求RoHS標準規定規定的無引腳SMT瓷磚封裝形式。 該電子元元件可以用在作映射阻止混頻器或單向加上變頻調速器器。 該混頻器進行兩人標準規定規定雙平衡量混頻器標段和一種九十度混電子元元件，均進行GaAs MESFET藝制造出。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4就是款高動態化超范疇GaAs PHEMT MMIC中級公率擴大器，主要采用無引腳“無鉛”SMT封裝。 該擴大器更具17至24 GHz的運行超范疇，展示 22 dB增益控制、+26 dBm飽合公率和23% PAE（+5V電端電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4是款統一GaAs PHEMT MMIC動力圖像變小儀，用到不符合RoHS的標準的無引腳SMT二極管封裝。 該圖像變小儀用到+5V單電源模塊，收獲為15 dB，飽合輸出瓦數為+18 dBm。 在一整塊工作中頻寬內存在保持一致的收獲和輸出輸出瓦數

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4就是一款GaAs PHEMT MMIC控制圖像增加器電路，用到無鉛4x4 mm表貼工業陶瓷芯片封裝，工作的規律面積為5.5至17 GHz。 該圖像增加器電路出具可以達到30 dB的增益值、+30 dBm輸入輸出IP3及+23 dBm的輸入輸出輸出

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4都是款GaAs PHEMT MMIC安裝驅動放縮器，用于無鉛4x4 mm陶瓷制品表貼裝封，運行頻帶寬度使用范圍為5至20 GHz。 該放縮器展示 達21 dB的增益控制控制、+29 dBm所在精度IP3及+22 dBm的所在精度電機功率（1 dB增益控制控制降低時），功耗測試為180 mA（+5V交流電源）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498都是款高新動態比率GaAs PHEMT MMIC輸出變小器，運作頻繁比率為17至24 GHz。 HMC498展示 24 dB增加收益，飽滿輸出為+27 dBm，電源線電壓降為+5V (25% PAE)。 致使寬度較小，HMC498變小器可枯燥結合到多處理芯片控制模塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596一款兩極GaAs HEMT MMIC一般瓦數增加器，操作頻次依據為16至33 GHz。 HMC-APH596可以提供17 dB收獲，主要包括+5V電源開關打出工作電壓時具+24 dBm打出瓦數（1 dB壓縮成）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專程裝修設計使用在以最窄的整流工作功率進行高OIP3。超線性網絡性已在150MHz至3GHz的的標準頻段中得見證件。RFGA2012還具有VBIAS引腳，充許朋友針對性指定條件網站優化靜止直流電壓。VBIAS引腳也可以使用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024都是款高使用性能InGaP HBT MMIC調小器。RFGA0024的內控人員有源偏置用電線路能調小器隨便從5V電原的工作，并帶來安穩的電流值隨溫度因素轉變 處以理Beta轉變 。這種達林頓調小器的內控人員符合電阻功率為50歐姆，至關可以要有小規格和非常少外表電子器件的APP。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014是一種款高性InGaP HBT MMIC調小器。RFGA0014的里面的有源偏置三極管不得調小器單獨從5V電上班，并展示 穩定性的電流大小隨室內溫度的變化無常處以理Beta的變化無常。這件達林頓調小器的里面的相匹配電阻功率為50歐姆，十分時候必須 小面積和數最多外界組件的操作。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為之后或驅動包器級運用構思的線型最大功效擴大器IC。該配件用有背影跨接的無引線集成電路芯片平臺。RF5633構思應用于在大面積的室內溫度和最大功效導出位置內持續線型。外鏈匹配好為數個頻段的導出最大功效帶來了可以調節性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中高工作效率用設置的線型工作效率調小器IC。該電子元件分為專業的InGaP異質結雙極晶胞管（HBT）技術創造，設置用來作為802.16e使用器的終究微波射頻調小器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827一款通用的，低料工費，高規則化度的RF變成器IC。該集成電路芯片應用砷化鎵工序生產，應用3mm x 3mm，16引腳QFN封裝類型。它愈來愈適宜充當規則化/低噪音污染變成器，當中OIP3值為38dBm，噪音污染指數公式少于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315都是款高效性率砷化鎵異質結雙極多晶體管（HBT）縮放器，用到低的成本表面能貼裝芯片封裝。該縮放器越來越使用在于都要200MHz至3GHz概率範圍內的高非線性度和低噪音風機源比率的app。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223都是款使用低費用表層貼裝芯片封裝形式的優質GaAs異質結雙極硫化鋅管（HBT）圖像變大電路。該圖像變大電路如此適于于應該500MHz至3GHz平率依據內的高非線性度和低燥聲公式的適用。RF3223使用單5V電供電系統，使用區域經濟的3mm x 3mm QFN芯片封裝形式。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220是款提高學習效率率砷化鎵異質結雙極納米線管（HBT）變小器，采取高產出低接觸面貼裝裝封。該變小器如此可適用區域包括想要500MHz至3GHz頻帶寬度區域內的高波形度和低躁聲公式的采取。RF3220采取單5V電源線供電系統，采取社會經濟的3mm x 3mm QFN裝封。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是爭對3V筆型平臺的高瓦數提高成功率率直線放縮器IC。該配件選擇高級的砷化鎵異質結雙極結晶管（HBT）的工藝開發，設計充當雙狀態3V CDMA / AMPS筆型數字化蜂窩軟件擴頻平臺和各種應用中的終極RF放縮器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000是一個款融合式限幅器/ LNA，可在2-20GHz幀率區域內提高穩建，高耐熱性。QPM1000在增益控制管控管控下提高17 dB的小4g信號增益控制管控，在全部整個幀率區域內兼備1.7 - 4 dB的躁音指數公式，> 18 dBm P1dB。顯然，融合限幅器提高可高達4 W的入射功效的穩建性含量，而不容易大幅度降低耐熱性。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM創立于1999年111月，由一幫人在紅外光加熱射頻電路板構思和紅外光加熱射頻電子元件造成技能角度相關經驗多種的紅外光加熱射頻構思師主成。它坐落在新加坡馬里蘭州市蓋瑟斯堡，距華盛頓大西北約20英里。該裝修公司是 先進的紅外光加熱射頻構思聚集亨有盛譽，該聚集還包括耗油率FET，MMIC耗油率變大器還有帶RF和DC對接器的高耗油率變大器板塊圖片，許多板塊圖片已需要準備功能強大于紅外光加熱射頻設計。